در تحقیق حاضر یک حسگر زیستی-مغناطیسی چند لایه (SiO2/CoFeSiB/Al2O3/Cr/Au) مبتنی بر اثر امپدانس مغناطیسی با استفاده از سیستم میکروالکترومکانیکی طراحی وساخته شده است. بدین منظور ابتدا شمش آلیاژ پایه کبالت با ترکیبCo15Fe4. 3Si12. 5B15 در کوره القایی تحت خلاء تهیه و سپس با استفاده از دستگاه مذاب-ریسی، نوارهای انجماد سریع شده با ریزساختار آمورف تهیه شدند. جهت تهیه حسگر، یک طرح مارپیچی با ده عدد بازو با استفاده از فرآیند لیتوگرافی بر روی سطح نوار آمورف تهیه و سپس پوشش چند لایه آلومنیا/کروم/طلا با استفاده از فرآیند کندوپاش مغناطیسی امواج رادیویی، بر روی آن پوشش دهی شد. مشخصات مغناطیسی نوار به کمک دستگاه منحنی نگار هیسترزیس و مغناطش سنج نمونه مرتعش اندازه گیری شدند. مقاومت الکتریکی ویژه آلیاژ به روش پویشگر چهار نقطه اندازه گیری شد. آزمون پراش پرتو ایکس بر روی نوار نشان دهنده ی یک ساختار آمورف نوار می باشد. اندازه و ترکیب ذرات اکسید آهن مورد استفاده در این پژوهش به وسیله ی میکروسکوپ الکترونی روبشی و آزمون پراش پرتو ایکس مشخص شدند. نسبت امپدانس مغناطیسی بزرگ (GMI) نوار و حسگرها در محدوده فرکانسی 1 تا MHz 12 و حداکثر میدان مغناطیسی Oe 170 مورد ارزیابی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که حداکثر نسبت امپدانس مغناطیسی حسگر برابر با 67% و در فرکانس MHz 9 حاصل شده است که در حضور mg 1/0 از ذرات سوپر-پارامغناطیس اکسید آهن بروی سطح حسگر، به میزان 13% کاهش یافته است. بنابراین، با توجه به حساسیت قابل توجه حسگر تهیه شده به نانوذرات اکسید آهن، این حسگر می تواند در کاربردهای زیستی-مغناطیسی مورد استفاده قرار گیرد.

در این مقاله خواص مغناطیسی عایق های توپولوژیکی سه بعدی آلاییده با اتم های مغناطیسی بررسی شده است. قفل شدگی اسپین- مدار الکترون های سطحی سبب بروز رفتارهای مغناطیسی جالبی می شود که در سیستم های متعارف بدون برهم کنش اسپین- مدار قابل مشاهده نیست. از جمله این خصوصیات می توان به وابستگی شدید دمای گذار فرومغناطیس- پارامغناطیس سیستم به پارامترهای مختلف آن اشاره کرد. در این مقاله اثرات انحنای شش گوشی را با استفاده از رهیافت میدان متوسط، روی پارامتر نظم، دمای بحرانی، و پذیرفتاری مغناطیسی سیستم مطالعه کرده ایم.

به منظور بررسی تاثیر آب مغناطیسی بر زمان گیرش و کارائی خمیرسیمان و بتن تر، و همچنین مقاومت فشاری سیمان سخت شده و بتن، ابتدا آب مغناطیسی توسط دستگاهی که در این تحقیق طراحی و ساخته شد، تهیه گردید. سپس بتن با طرح اختلاطهای متفاوت و با افزودن میکروسیلیس ساخته و مورد آزمایش قرار گرفت. از جمله نتایج این تحقیق اینکه شدت میدان مغناطیسی بهینه بین0.8 تا 1.0 تسلا بوده واستفاده از آب مغناطیسی زمان گیرش اولیه سیمان را تا 50% و زمان گیرش ثانویه را تا 19% کاهش می دهد. بهترین مقاومت فشاری سیمان سخت شده با چرخش حدود 15 دقیقه ای و بیشترین کارائی خمیر سیمان با چرخش حدود 65 دقیقه ای آب در میدان مغناطیسی حاصل می شود، و آب مغناطیسی موجب افزایش مقاومت فشاری بتن تا بیش از 20% می شود. کاربرد توام میکرو سیلیس و آب مغناطیسی مقاومت 7 روزه را 46% و 28 روزه را 39% افزایش می دهد.

منگنایت ها یک زیر شاخه جدید از فیزیک ماده چگال است که دارای مفاهیم فیزیکی زیاد و کاربردهای فراوان است. در این تحقیق به بررسی خواص ساختاری، الکتریکی و مغناطیسی یک سری از منگنایت La1-xCaxMnO3 ، LCMO، به ازای 0.5، 0.4، 0.3، 0.2، x=0.1 پرداخته شده است. مشاهده شد که ساختار بلوری این منگنایت در دمای اتاق و در آلایشهای کوچک، راست گوشه است و با افزایش مقدار آلایش، ثابتهای شبکه کاهش می یابند و ساختار بلوری به سمت چارگوشی پیش می رود. همچنین افزایش مقدار آلایش باعث القای فاز فلزی در دماهای پایین و گذار فاز عایق - فلز می شود که دمای این گذار فاز تا آلایش x=0.4 تقریبا بر دمای کوری نمونه ها منطبق است. با افزایش مقدار آلایش تا 0.5 دمای گذار فاز عایق - فلز و دمای کوری نمونه ها ابتدا افزایش و سپس کاهش می یابد. در آلایشهای 0.1 و 0.2 و در دمای حدود 90K، گذار فاز از حالت بی نظم به حالت منظم شده بار الکتریکی رخ می دهد. در نهایت با یک پیشنهاد به تحلیل گذار فاز عایق - فلز و انطباق دمای آن بر دمای کوری پرداخته می شود.

در این مقاله، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی یکی از جدیدترین دگر شکل های کربنی برمبنای نظریه تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k بررسی شده است. نتایج ما نشان می دهند که این ساختار از نظر الکترونی و مغناطیسی، با داشتن گاف انرژی ای در حدود 2/2 الکترون-ولت و گشتاور مغناطیسی کل 0013/0 مگنتون بوهر به ازای هر سلول یکه، تقریبا یک نیمه رسانای غیر مغناطیسی است. همچنین، از نظر خواص اپتیکی نیز، تغییرات تعدادی از پارامترهای اپتیکی مانند ثابت دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی و بازتاب پذیری برحسب تغییرات انرژی مورد مطالعه قرار گرفته است. خواص اپتیکی نشان می دهند که اگر این دگرشکل در فناوری پیل خورشیدی مورد استفاده قرار گیرد، بازدهی آن در انرژی های پایین، بهتر خواهد بود؛ چون تابع اتلاف انرژی و بازتاب پذیری آن کمینه خواهد شد.

آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی زیر مجموعه ای از مواد محرک می باشند که شکل ماده و سایر ویژگی های مکانیکی آن در پاسخ به میدان های مغناطیسی و مکانیکی تغییر می کند. آلیاژهای حافظه دار در سال های اخیر به دلیل ویژگی های منحصر به فردشان از جمله مقاومت به خوردگی بالا، مقاومت ویژه الکتریکی نسبتا بالا، خواص مکانیکی نسبتا خوب، خستگی طولانی، شکل پذیری بالا و قابلیت انطباق با بدن در طیف گسترده ای از صنایع مورد توجه قرار گرفته اند. این آلیاژها مواد هوشمندی هستند که پس از تغییر شکل می توانند شکل اولیه خود را به یاد آورند. هدف از ارایه این مقاله آشنایی، کاربرد و بررسی خواص مواد حافظه دار مغناطیسی می باشد. در واقع با ارایه چند مدل مطالعه شده، معادلات ساختاری، خواص، کاربرد آن ها در حوزه های مختلف و نمودارها سعی در بررسی این مواد داشته ایم و به چالش های موجود از جمله وجود هیسترزیس وابسته به نرخ نامتقارن همراه با اشباع های بزرگ و ارایه راهکار آن پرداخته ایم.

در این مقاله نانوذرات مغناطیسی اکسید آهن Fe3O4 با استفاده از روش هم رسوبی در دمای اتاق در دو حالت با حضور میدان مغناطیسی و در غیاب میدان مغناطیسی ساخته شدند. خواص مغناطیسی نانوذرات توسط دستگاه مغناطیس سنجی نمونه ارتعاشی VSM برای بررسی ویژگی های ابرپارامغناطیسی نانوذرات و اثر اعمال میدان بر خواص مغناطیسی نانوذرات مورد بررسی قرار گرفت. نتایج این آنالیز نشان داد که اعمال میدان مغناطیسی در هنگام ساخت نانوذرات، باعث کاهش مغناطش اشباع می شود. نتایج الگوی پراش اشعه ایکس XRD کاهش بلورینگی نانوذرات را با اعمال میدان مغناطیسی در حین ساخت نشان می دهند. طیف سنجی فوریه فروسرخ FT-IR تشکیل پیوندهای اکسیدآهن را در نمونه های ساخته شده تائید می کند. کاهش مغناطش اشباع و بلورینگی را می توان به اثر میدان مغناطیسی در جهت دهی دوقطبی های مغناطیسی نانوذرات در هنگام ساخت، نسبت داد.